Hiden TOF-qSIMS 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜工作站設(shè)計(jì)用于多種材料的表面分析和深度剖析應(yīng)用，包括聚合物，藥物，超導(dǎo)體，半導(dǎo)體，合金，光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì)，檢測限低于1ppm。 

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀特點(diǎn)： 
1、高靈敏度脈沖離子計(jì)數(shù)檢測器，7個(gè)數(shù)量級的動(dòng)態(tài)范圍
2、SIMS 成像，分辨率在微米以下 
3、光柵控制，增強(qiáng)深度分析能力
4、45°靜電扇形分析器, 掃描能量增量 0.05 eV/ 0.25eV FWHM. 
5、所有能量范圍內(nèi)，離子行程的zui小擾動(dòng)，及恒定離子傳輸
6、差式泵3級過濾四極桿，質(zhì)量數(shù)范圍至2500amu
7、靈敏度高 / 穩(wěn)定的脈沖離子計(jì)數(shù)檢測器
8、Penning規(guī)和互鎖裝置可提供過壓保護(hù)
9、通過RS232、RS485或Ethernet LAN，軟件 MASsoft控制


TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜。

四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析，低入射能力，高入射電流，濺射和分析連續(xù)進(jìn)行，是典型的Dynamic SIMS 動(dòng)態(tài)SIMS。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時(shí)間質(zhì)譜，質(zhì)量數(shù)范圍寬，質(zhì)量分辨率高，且測量速度快（瞬間得到全譜）。離子槍僅需要一次脈沖濺射，即可得到全譜，對表面幾乎無破壞作用。因脈沖模式分析，且電流小，所以產(chǎn)生的二次離子比率相對少，靈敏度相比動(dòng)態(tài)SIMS弱，但成像和表面分析能力強(qiáng)，是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS。

TOF-qSIMS workstation 綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點(diǎn)，可以分析所有的導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣材料；對硅、高k、硅鍺以及III-V族化合物等復(fù)合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測量等一系列擴(kuò)展功能。對于材料/產(chǎn)品表面成分及分布，表面添加組分、雜質(zhì)組分、表面多層結(jié)構(gòu)/鍍膜成分、表面異物殘留（污染物、顆粒物、腐蝕物等）、表面痕量摻雜、表面改性、表面缺陷（劃痕、凸起）等有很好的表征能力。


應(yīng)用：
1、靜態(tài) /動(dòng)態(tài)SIMS
2、一般目的的表面分析
3、整體的前端離子源，便于RGA和 SNMS
4、兼容的離子槍/ FAB 槍
5、成分/污染物分析
6、深度分析
7、泄漏檢測
8、與Hiden SIMS 工作站兼容